M312L5628BT0-CB0 Samsung Semiconductor 2GB DDR-266 PC-2100R ECC Registered 2.5V 184-Pin【中古メモリ】
メーカー: Samsung Semiconductor, Inc. (Samsung Electronics Co., Ltd.)Samsung Semiconductor M312L5628BT0-CB0 2.0 GB DDR-266 PC-2100R ECC Registered, 2.5 V, 184-Pin 付属品はありません。 動作確認済、中古品 です。 キズや汚れ、経年による使用感 等がございますことを、予めご了承ください。 サーバー ワークステーション用 メモリ ですので、通常のパソコンでは使用できません。 メーカー Samsung Semiconductor, Inc. (Samsung Electronics Co., Ltd.) 型番 M312L5628BT0-CB0 RAMモジュール容量 2.0 GB モジュール規格 DDR SDRAM RDIMM チップ規格 DDR-266 PC-2100R エラーチェック ECC レジスタ Registered CAS Latency CL = 2.5 Rank Dual Rank データ転送速度 266 MHz 電源電圧定格 2.5 V ピン数 184-Pin
Samsung 2GB DDR PC2100 ECC メモリ M312L5628BT0-CB0 NEC 609-01613-000 DIMM CL2.5
【商品名】 Samsung 2GB DDR PC2100 ECC メモリ M312L5628BT0-CB0 NEC 609-01613-000 DIMM CL2.5 【商品説明】 …↓↓続きは商品情報欄も是非ご覧ください↓ ※海外からのお取り寄せ商品の為、お届けまでに通常約2-3週間を頂戴しております。 ※本商品新品・未使用商品ではございますが、税関にて開封や国際輸送時にパッケージにスレや傷がまれにある場合がございます。商品に問題はございませんので予めご了承くださいませ。
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